在這次內存與存儲漲價大潮中，內存方面領漲的產品是高帶寬內存（HBM），存儲方面領漲的產品則是 NAND 閃存。那么 NAND 閃存能像 HBM 那樣堆疊起來，提供更大的存儲容量嗎？能的，這項技術就是閃迪在去年 2 月發(fā)布的高帶寬閃存（HBF）。
據(jù)韓媒 Etnews 報道，閃迪已經在著手準備生產 HBF 的材料、組件和設備供應鏈，并搭建生產線。
有業(yè)內高層人士表示，閃迪正與相關企業(yè)接洽合作事宜，計劃于下半年引進主要生產設備，并稱部分企業(yè)已開始商討采購訂單（PO）事宜。預計在同樣今年下半年完成試產線的建設、年底前投入運行并推出原型產品，明年實現(xiàn)量產，而產線的熱門候選地之一是日本。
HBF 的核心原理與 HBM 相似，都是通過堆疊 16 個 3D NAND 閃存芯片的方式來實現(xiàn)更大的容量和更強的性能，以此助力 AI 計算的發(fā)展。得益于總體一致的技術，HBF 有望媲美 HBM 的帶寬性能。
在 HBF 技術路線圖上顯示，初代 HBF 的系統(tǒng)級性能與 " 無限容量版 " 的 HBM 的差距在 2.2% 以內，讀取帶寬達 1.6TB/s。而后續(xù)的 2 代、3 代產品的讀取帶寬將達到 2TB/s 和 3.2TB/s，對應的單疊層容量、能效都有進一步提升。
當下，閃迪、SK 海力士、三星等各大存儲生產商陸續(xù)投身 HBF 研發(fā)，市場正在關注 HBF 的性能能否與炙手可熱的 HBM 相媲美。
由于 HBM 和 HBF 的制造工藝沒有顯著差異，所以產線的搭建過程也非?？臁I(yè)內人士表示，目前在 HBM 市場占據(jù)領先地位的三星電子和 SK 海力士，很可能會將整套工藝改造后直接轉產 HBF。其中，SK 海力士是閃迪推進 HBF 標準化的合作方，而三星則憑著自己的實力選擇了單打獨斗。
對于這個新技術催生出的產品，韓國科學技術院（KAIST）的金正浩教授預測，HBF 的市場規(guī)模將在 2038 年超過 HBM，前景可觀。
