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在擔任現(xiàn)職之前，侯博士（Cliff Hou）曾擔任多個重要領(lǐng)導職務(wù)。他于 2011 年至 2018 年擔任設(shè)計與技術(shù)平臺副總裁，并于 2018 年 8 月起擔任技術(shù)開發(fā)副總裁。在其職業(yè)生涯早期，即 1997 年至 2007 年，他創(chuàng)建了臺積電的技術(shù)設(shè)計套件和參考流程開發(fā)機構(gòu)，為其設(shè)計支持體系奠定了基礎(chǔ)。
過去十年間，侯博士在臺積電開放創(chuàng)新平臺（OIP）的建設(shè)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，該平臺已發(fā)展成為全球半導體行業(yè)最全面的設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)之一。他在參考流程和面向制造的設(shè)計（DFM）方面的工作顯著降低了集成電路設(shè)計的門檻，并提高了客戶的使用便利性。
為表彰他的貢獻，侯博士于 2010 年榮獲國家經(jīng)理人卓越獎。他還帶領(lǐng)臺積電的 OIP 項目團隊于 2011 年榮獲臺灣經(jīng)濟部頒發(fā)的國家產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新獎。
加入臺積電之前，侯博士曾在工業(yè)技術(shù)研究院（工研院 / 中控中心）擔任設(shè)計環(huán)境部門主管，并曾任義守大學（原高雄理工大學）副教授。
侯博士擁有 44 項美國專利，并擔任環(huán)球優(yōu)尼芯片公司董事。他本科畢業(yè)于國立交通大學控制工程專業(yè)，并在雪城大學獲得電氣與計算機工程博士學位。
Cliff 的演講概述了臺積電在過去一年中在半導體制造領(lǐng)域取得的重大進展和成就，重點介紹了技術(shù)進步、產(chǎn)能擴張、先進封裝、全球布局和可持續(xù)發(fā)展舉措。
2025 年，臺積電在尖端技術(shù)和產(chǎn)能方面均取得了顯著進展。公司最先進的制程節(jié)點 TSMC N2 已實現(xiàn)量產(chǎn)。盡管與前幾代相比，其復雜性有所增加，但臺積電已實現(xiàn)了良率的顯著提升，展現(xiàn)了其卓越的制造能力。采用背面供電的下一代制程節(jié)點 TSMC N2 的研發(fā)工作也進展順利，正按計劃推進。
臺積電在汽車技術(shù)領(lǐng)域也取得了顯著進展，其 N3A 制程節(jié)點現(xiàn)已量產(chǎn)，能夠滿足嚴格的質(zhì)量要求。在包括 3nm、5nm 和 7nm 在內(nèi)的所有先進制程節(jié)點上，臺積電持續(xù)提升性能和可靠性，以支持廣泛的應(yīng)用。此外，臺積電正積極拓展其先進封裝技術(shù)，以滿足高性能計算（HPC）和人工智能（AI）應(yīng)用日益增長的需求。
其中一大亮點是 2nm 制程產(chǎn)能的快速擴張。臺積電在一年內(nèi)啟動了五期 2nm 晶圓廠的建設(shè)，速度前所未有。因此，預計 2nm 制程第一年的產(chǎn)量將比上一代 3nm 制程高出 45%。展望未來，該公司計劃在 2026 年至 2028 年間將 2nm 制程產(chǎn)能進一步提升約 70%。與此同時，預計 3nm 和 5nm 制程的總產(chǎn)能將在未來幾年內(nèi)穩(wěn)步增長約 25%。
為了應(yīng)對新建晶圓廠的時間限制，臺積電正利用人工智能和數(shù)字化轉(zhuǎn)型來優(yōu)化現(xiàn)有設(shè)施。人工智能驅(qū)動的系統(tǒng)能夠改進排產(chǎn)、提高設(shè)備效率并優(yōu)化工藝流程，從而提高產(chǎn)能并縮短生產(chǎn)周期。生成式人工智能還用于微調(diào)工藝參數(shù)，而數(shù)據(jù)分析則有助于最大限度地減少停機時間并提高設(shè)備利用率。這些創(chuàng)新使臺積電能夠在新建晶圓廠的同時，從現(xiàn)有產(chǎn)能中挖掘出更大的生產(chǎn)力。
人工智能和高性能計算應(yīng)用的需求是推動增長的關(guān)鍵因素。預計從 2022 年到 2026 年，用于人工智能加速器的晶圓出貨量將增長 11 倍。值得注意的是，大面積芯片（超過 500 平方毫米）也呈現(xiàn)強勁增長，出貨量增長了 6 倍。臺積電憑借其在多代產(chǎn)品中積累的經(jīng)驗，即使對于這些復雜的芯片設(shè)計，也能持續(xù)提升良率并降低缺陷密度。
除了前沿技術(shù)，臺積電還持續(xù)投資于成熟工藝節(jié)點，包括射頻、高壓、模擬、嵌入式存儲器和圖像傳感器等特殊工藝。公司旨在保持在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，同時以穩(wěn)健的戰(zhàn)略方式擴大產(chǎn)能。
在先進封裝領(lǐng)域，臺積電正不斷突破 3D 集成技術(shù)的界限，例如 CoWoS 和 SoIC。這些技術(shù)對于實現(xiàn)基于芯片組的架構(gòu)和高帶寬存儲器集成至關(guān)重要。公司已將 CoWoS 和 SoIC 的研發(fā)到量產(chǎn)過渡時間分別縮短了 30% 和 75%，從而幫助客戶更快地將產(chǎn)品推向市場。與包括材料供應(yīng)商和測試服務(wù)商在內(nèi)的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的協(xié)作，進一步提高了良率和生產(chǎn)效率。封裝產(chǎn)能也在積極擴張，預計到 2027 年將保持顯著增長。
臺積電的全球擴張戰(zhàn)略是另一項重點。該公司正以兩倍的速度推進晶圓廠建設(shè)，計劃在 2025 年和 2026 年每年新建或改建九個晶圓廠——是歷史平均水平的兩倍。此次擴張不僅限于臺灣，還包括在美國、日本和德國的重大投資。
在亞利桑那州，臺積電的首座晶圓廠已投產(chǎn)，其他階段的晶圓廠正在建設(shè)中，目標是 3 納米和 2 納米等先進制程節(jié)點。該公司還在規(guī)劃建設(shè)先進封裝設(shè)施，并收購更多土地以支持長期發(fā)展。在日本，熊本晶圓廠已投產(chǎn)并正在擴建產(chǎn)能，同時第二座晶圓廠正在建設(shè)中，其重點將轉(zhuǎn)向 3 納米技術(shù)。在德國，德累斯頓一座新的晶圓廠正在建設(shè)中，目標應(yīng)用領(lǐng)域為汽車和工業(yè)領(lǐng)域。在這些地區(qū)，臺積電已展現(xiàn)出復制與其臺灣業(yè)務(wù)相當?shù)母吡悸实哪芰Α?/p>
可持續(xù)發(fā)展和綠色制造是臺積電長期愿景的核心。公司目標是到 2050 年實現(xiàn)凈零碳排放，僅在 2025 年就已減排 380 萬噸。資源回收利用是另一項重點工作，目標是到 2030 年實現(xiàn) 70% 的內(nèi)部回收利用率和高達 98% 的整體回收利用率。水資源管理舉措的目標是到 2040 年代實現(xiàn) 100% 的水資源正效益，目前通過再生水利用和節(jié)水措施已取得顯著進展。
總而言之，臺積電正積極推進半導體技術(shù)發(fā)展，同時擴大產(chǎn)能以滿足不斷增長的需求，尤其是在人工智能和高性能計算領(lǐng)域。通過制造、封裝和人工智能驅(qū)動的優(yōu)化方面的創(chuàng)新，以及全球擴張和可持續(xù)發(fā)展承諾，該公司正努力鞏固其在未來數(shù)年內(nèi)繼續(xù)引領(lǐng)半導體行業(yè)的地位。
臺積電 2026 技術(shù)研討會
臺積電上周在其北美技術(shù)研討會上宣布了三項新的先進工藝技術(shù) A13、A12 和 N2U，作為其最新先進技術(shù)路線圖的一部分。
與去年技術(shù)研討會上展示的路線圖相比，新的路線圖以金色文字顯示了三項新的工藝技術(shù)。
為了更好地理解這三者，N2 是臺積電首個采用 NanoFlex 工藝的制程節(jié)點，而 A16 將是臺積電首個采用超強電源軌（SPR）背面供電技術(shù)的制程節(jié)點。N2 現(xiàn)已投產(chǎn)，臺積電聲稱該工藝的客戶接受度是迄今為止最高的，目前已收到超過 20 份客戶流片，另有 70 多份正在流片中。我們預計 N2 很快就能帶來收益。
臺積電的 A14 采用其 NanoFlex Pro 技術(shù)，計劃于 2028 年上市。A13 是 A14 的直接縮小版，面積縮小了 6%，并且其設(shè)計規(guī)則與 A14 完全向下兼容。A13 計劃于 2029 年上市，同時上市的還有 A12，它是 A14 平臺的增強版，采用了 SPR 技術(shù)。下圖 2 展示了 N2U 相對于 N2P 的改進之處，N2U 計劃于 2028 年投產(chǎn)。
圖 3 展示了去年臺積電技術(shù)研討會上的 PPA 對比數(shù)據(jù)。A14 的數(shù)據(jù)今年再次發(fā)布，沒有任何變化。A16 此前曾宣傳將于 2026 年底量產(chǎn)，但圖 1 現(xiàn)在顯示為 2027 年。A12 的發(fā)布日期定于 2029 年，這標志著臺積電在交付新工藝節(jié)點方面邁出了積極的步伐。臺積電還聲稱，N2 在缺陷密度降低方面比 N3 表現(xiàn)更好?？紤]到 N3 是最后一個 FinFET 節(jié)點，而 N2 是第一個 NanoFlex 節(jié)點，這一結(jié)果令人印象深刻。
對先進封裝技術(shù)的需求非常旺盛，這主要受人工智能計算擴展需求的驅(qū)動。臺積電正在生產(chǎn)全球最大的 5.5mm 光罩尺寸 CoWoS 封裝，預計 2026 年良率將超過 98%。圖 4 展示了 CoWoS 和 SoW 支持到 2029 年的路線圖，其中 SoW-X 預計可容納 64 個 HBM 堆疊。如果我們預期到 2029 年 HBM 堆疊容量將達到 64GB，那么 SoW-X 上的總 HBM 容量將達到 4TB。
另一項實現(xiàn)人工智能系統(tǒng)擴展的重要技術(shù)是共封裝光學器件。臺積電的緊湊型通用光子引擎（COUPE）將光信號傳輸更靠近芯片，從而提高了能效并降低了延遲。下圖 5 展示了 COUPE 在 CPO 技術(shù)上的應(yīng)用發(fā)展路線圖。
臺積電于 4 月 16 日舉行了 2026 年第一季度財報電話會議。下圖 6 至圖 10 顯示了人工智能 / 高性能計算（AI/HPC）對營收的巨大影響，以及它如何取代智能手機成為臺積電最大的營收來源。圖 10 還顯示，N7、N5 和 N3 的營收占比在過去六個季度中保持穩(wěn)定。隨著更多成品晶圓的交付，N2 將如何影響這些占比，值得我們關(guān)注。
（來源：編譯自 semiwiki）
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